126頁(yè)深度-功率半導(dǎo)體賽道分析

其他|other else|

2022-03-17 07:12:17 5

1、行業(yè)總覽：千億賽道，成熟市場(chǎng)疊加新興純?cè)隽渴袌?chǎng)

Ø功率半導(dǎo)體用于所有電力電子領(lǐng)域，市場(chǎng)成熟穩(wěn)定且增速緩慢。行業(yè)發(fā)展主要依靠新興領(lǐng)域如新能源汽車(chē)、可再生能源發(fā)電、變頻家電等帶來(lái)的巨大需求缺口。成熟市場(chǎng)規(guī)模：根據(jù)IHS Markit數(shù)據(jù)顯示2018年全球功率器件市場(chǎng)規(guī)模為391億美元，中國(guó)功率市場(chǎng)規(guī)模為138億美元，全球占比35%。純?cè)隽渴袌?chǎng)規(guī)模：我們主要測(cè)算了國(guó)內(nèi)新能源汽車(chē)、充電樁、光伏和風(fēng)電四個(gè)領(lǐng)域中應(yīng)用功率半導(dǎo)體市場(chǎng)空間。①新能源汽車(chē)領(lǐng)域市場(chǎng)需求到2025年約160億元，2030年約275億元。②公共直流充電樁領(lǐng)域2020-2025年累計(jì)市場(chǎng)需求約140億元，2025-2030年累計(jì)需求約400億元。③光伏領(lǐng)域2020-2025年累計(jì)市場(chǎng)需求約50億元，隨政策調(diào)整有望進(jìn)一步增長(zhǎng)。④風(fēng)電領(lǐng)域2020-2024年累計(jì)市場(chǎng)需求約30億元。整體看，國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)2025年四個(gè)領(lǐng)域提供純?cè)隽恳?guī)模預(yù)計(jì)達(dá)200億元。Ø根據(jù)Omdia數(shù)據(jù)顯示，2018年全球排名前十功率半導(dǎo)體企業(yè)來(lái)自于美國(guó)、歐洲和日本，合計(jì)市占率達(dá)60%。國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)自給率偏低，中高端功率MOSFET和IGBT自給率不足10%，國(guó)產(chǎn)替代空間巨大。

2、行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)一：不需要追趕摩爾定律，倚重制程工藝、封裝設(shè)計(jì)和新材料迭代，整體趨向集成化、模塊化

Ø功率半導(dǎo)體整體進(jìn)步靠制程工藝、封裝設(shè)計(jì)和新材料迭代。設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)：功率半導(dǎo)體電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，不需要像數(shù)字邏輯芯片在架構(gòu)、IP、指令集、設(shè)計(jì)流程、軟件工具等投入大量資本。制造環(huán)節(jié)：因不需要追趕摩爾定律，產(chǎn)線對(duì)先進(jìn)設(shè)備依賴度不高，整體資本支出較小。封裝環(huán)節(jié)：可分為分立器件封裝和模塊封裝，由于功率器件對(duì)可靠性要求非常高，需采用特殊設(shè)計(jì)和材料，后道加工價(jià)值量占比達(dá)35%以上，遠(yuǎn)高于普通數(shù)字邏輯芯片的10%。Ø提升性能和降低成本推動(dòng)晶片向集成化、小型化發(fā)展。根據(jù)Omdia預(yù)測(cè)，2020-2024年分立器件市場(chǎng)增速為2.2%，而功率模塊市場(chǎng)增速為5.4%。新興市場(chǎng)使中高端產(chǎn)品如IGBT和功率MOSFET需求變大。根據(jù)WSTS數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，全球功率MOSFET增速為7.6%，IGBT為8.9%。目前，根據(jù)在研項(xiàng)目和產(chǎn)品布局看，國(guó)內(nèi)企業(yè)開(kāi)始向價(jià)值量更高的中高端產(chǎn)品轉(zhuǎn)型。

3、行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)二：新能源與5G通信推動(dòng)第三代半導(dǎo)體興起

Ø新能源、5G等新興應(yīng)用加速第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)化需求，我國(guó)市場(chǎng)空間巨大且有望在該領(lǐng)域快速縮短和海外龍頭差距。①天時(shí)：第三代材料在高功率、高頻率應(yīng)用場(chǎng)景具有取代硅材潛力，行業(yè)整體處于產(chǎn)業(yè)化起步階段。②地利：受下游新能源車(chē)、5G、快充等新興市場(chǎng)需求以及潛在的硅材替換市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)，目前深入研究和產(chǎn)業(yè)化方向以SiC和GaN為主，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)空間巨大。③人和：第三代半導(dǎo)體核心難點(diǎn)在材料制備，其他環(huán)節(jié)可實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化程度非常高，加持*在政策和資金方面大力支持。我們認(rèn)為該行業(yè)技術(shù)追趕速度更快、門(mén)檻準(zhǔn)入較低、國(guó)產(chǎn)化程度更高，中長(zhǎng)期給國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體企業(yè)、襯底材料供應(yīng)商帶來(lái)更多發(fā)展空間確定性更強(qiáng)。

4、行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)三：IDM模式更適合功率半導(dǎo)體行業(yè)，代工可以提供產(chǎn)能、工藝技術(shù)補(bǔ)充

Ø海外功率半導(dǎo)體龍頭企業(yè)都采用IDM模式，國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體行業(yè)商業(yè)模式以IDM為主，設(shè)計(jì)+代工為輔。目前，國(guó)內(nèi)IDM企業(yè)（如士蘭微）和代工企業(yè)（如中芯紹興）都在積極擴(kuò)充產(chǎn)能和升級(jí)產(chǎn)線，從4/6寸升級(jí)到6/8寸甚至更高，整體追趕國(guó)際主流水平。產(chǎn)能擴(kuò)充可以認(rèn)為公司技術(shù)儲(chǔ)備和產(chǎn)品性能已經(jīng)達(dá)到國(guó)際同類產(chǎn)品水平，后續(xù)通過(guò)開(kāi)拓客戶和*占市場(chǎng)份額實(shí)現(xiàn)營(yíng)收增長(zhǎng)。ØIDM與代工并行符合國(guó)內(nèi)行業(yè)格局現(xiàn)狀，雙模式運(yùn)行并不沖突，有效利用我國(guó)產(chǎn)能資源，實(shí)現(xiàn)優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)。IDM模式可以提高產(chǎn)品毛利并建立技術(shù)壁壘。我國(guó)特色工藝和封裝技術(shù)處于國(guó)際先進(jìn)水平，工藝技術(shù)和產(chǎn)能部署完善。功率半導(dǎo)體企業(yè)與代工企業(yè)長(zhǎng)期合作，可以實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能補(bǔ)充和獲得工藝技術(shù)支持。

投資建議

推薦綜合實(shí)力強(qiáng)勁的全球標(biāo)準(zhǔn)器件龍頭聞泰科技（600745）；代工與IDM模式并行，擁有國(guó)內(nèi)最*的功率器件產(chǎn)品線龍頭華潤(rùn)微（688396）；國(guó)內(nèi)功率器件領(lǐng)軍企業(yè)揚(yáng)杰科技（300373）；國(guó)內(nèi)晶閘管龍頭捷捷微電（300623）；國(guó)內(nèi)IGBT模塊龍頭斯達(dá)半導(dǎo)（603290）；

同時(shí)建議關(guān)注：通過(guò)產(chǎn)品組合調(diào)整，向中高端進(jìn)軍的老牌功率IDM龍頭華微電子（600360）；化合物半導(dǎo)體代工龍頭三安光電（600703）；大功率器件優(yōu)質(zhì)公司臺(tái)基股份（300046）；產(chǎn)品線豐富的IDM龍頭士蘭微（600460）；高壓、大功率晶閘管龍頭派瑞股份（300831）。

注：本文轉(zhuǎn)載自網(wǎng)絡(luò)，支持保護(hù)知識(shí)產(chǎn)權(quán)，轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明原出處及作者，如有侵權(quán)請(qǐng)聯(lián)系我們刪除。

公司電話：+86-0755-83044319
傳真/FAX：+86-0755-83975897
郵箱：1615456225@qq.com
QQ：3518641314 李經(jīng)理

QQ：332496225 丘經(jīng)理

地址：深圳市龍華新區(qū)民治大道1079號(hào)展滔科技大廈C座809室

上一篇：: 氮化鎵——實(shí)現(xiàn)5G的關(guān)鍵技術(shù)

下一篇：: 兆易創(chuàng)新與IAR Systems 進(jìn)一步強(qiáng)化在Arm開(kāi)發(fā)領(lǐng)域的合作關(guān)系

126頁(yè)深度-功率半導(dǎo)體賽道分析

客服QQ2635709730

客服QQ
2635709730