制造：
TAPEOUT（TO）流片： 指提交最終GDSII文件給Foundry工廠做加工。
FULL MASK 全掩膜: 即制造流程中的全部掩膜都為某個設計服務。
MPW (Multi Project Wafer)多項目晶圓: 即多個項目共享某個晶圓，也即同一次制造流程可以承擔多個IC設計的制造任務。
MPW就是和別的廠家共享一張掩模版，而FULL MASK則是獨享一張掩膜版。如果芯片風險比較高，則可以先做MPW，測試沒有問題，再做FULL MASK。
Foundry 晶圓廠: 專門從事芯片制造的廠家，例如臺積電（TSMC），中芯國際（SMIC），聯電（UMC）。對應的就是fabless，就是設計廠家，就是沒有晶圓廠。
Wafer：晶圓。
Die：晶圓切割后，單個芯片的晶圓，這個需要加上封裝好的外殼才能能變成芯片。
Chip：最后封裝后的芯片。
Bump：bumping指凸點。在wafer表面長出凸點（金，錫鉛，無鉛等等）后，（多用于倒裝工藝封裝上，也就是flipchip）。
Mask 掩模：在硅片上選定的區域中對一個不透明的圖形模板遮蓋，繼而下面的腐蝕或擴散將只影響選定的區域以外的區域
Chamber真空室，反應室：專指一密閉的空間，而有特殊的用途、諸如抽真空，氣體反應或金屬濺鍍等。
Dicing Wafer：晶圓劃片，晶圓切割
CVD （Chemical Vapor Deposition) 化學氣相沉積：是一種被廣泛應用于材料制備領域的先進技術，利用高溫和低壓環境將氣體或氣體混合物中的化學物質轉化為固體材料。
PVD （Physical Vapor Deposition）物理氣象沉積：通過離子等離子技術在基材表面附著另一種材料的方法。是噴射、蒸發等的總稱。
CMP （Chemical-Mechincal Polish)化學機械拋光：利用在表面布滿研磨顆粒的研磨墊（polishingpad），對凸凹不平的晶體表面，藉由化學助劑（reagent）的輔助，以化學反應和機械式研磨等雙重的加工動作，來進行其表面平坦化的處理。
CDA （Clean Dry Air) 壓縮干燥空氣：通常指壓力在60到110psi之間的空氣，經過凈化和干燥處理。作為氣動元件的氣體源。
Diffusion擴散： 在半導體工業上常在很純的硅芯片上以預置或離子植入的方式做擴散源，以進爐管加高溫的方式，使擴散在數小時內完成
DI Water去離子水：自來水或地下水中，含有大量的細菌，金屬離子及Particle，必須用設備將之殺菌過濾和純化后，再把金屬離子等雜質去除，所得的水即稱為"去離子水"。*IC制造使用。
Dopant摻雜：在原本的半導體材料里，主動植入或通過擴散的方法將其它的原子或離子摻入進去，達到改變其電性能的方法。
Dummy Wafer 擋片：對制程起一定輔助作用的硅片，區別于產品。一般對其質量要求不是很高。
