強勢進軍現代電力電子,*開啟SiC年，推動第三代半導體高質量發展

其他|other else|

2022-09-14 12:27:14 6

近年來，SiC（碳化硅）作為典型的第三代半導體材料，在禁帶寬度、擊穿電場強度、飽和電子漂移速率、熱導率以及抗輻射等關鍵參數方面具有顯著優勢。現代電力電子領域對高功率、高電壓、高頻率具有巨大需求，是SiC功率產品的主要應用領域。SiC功率產品典型市場包括軌道交通、風電、光伏、新能源汽車及其配套充電樁、不間斷電源等，應用領域廣泛。

十三所自2004年開始對SiC材料、器件進行工藝研究，與國際先進水平同步。經過多年的建設和發展，2017年4英寸SiC電力電子工藝線正式實現批產供貨；為進一步擴充產能、對標國際先進，2019年我所采用改擴建方式完成了SiC電力電子6英寸工藝線。截止目前，6英寸SiC電力電子工藝線已穩定生產供貨近3年。期間通過不斷優化產品性能指標，我所技術團隊又基于6英寸工藝線完成了第三代薄片工藝SiC SBD和第三代SiC MOSFET產品開發，產品指標均可對標國際一線品牌。

近年來電動汽車市場快速增長，其中高壓SiC MOSFET作為電動汽車主逆變器和車載充電器的核心元器件，市場需求量巨大。尤其是用于主逆變器的1200V/100A高壓、大電流SiC MOSFET芯片，代表了當前SiC電力電子芯片技術的最高水平，全球范圍內具備批量供貨能力的廠家屈指可數。我所經過多年的技術積累和艱苦攻關，突破多項關鍵技術，完成了車規級1200V/100A SiC MOSFET芯片產品批量生產，導通電阻小于13mΩ，實現了160mΩ、80mΩ、40mΩ、25mΩ、15mΩ、13mΩ等產品的系列化，產品品質得到了國內多家車企的認可。

2022年，十三所大力推進碳化硅在電力電子領域運用發展，*開啟“碳化硅年”，并深入布局，圍繞“技術突破”和“市場拓展”兩個重點，以現有的6英寸碳化硅工藝線為硬件基礎，同時布局產業化公司發展。所控股公司--北京國聯萬眾半導體科技有限公司，作為十三所發展產業重要組成部分，以成為“*網信事業主力軍”為發展戰略，以實現半導體核心器件自立自強為己任，以解決第三代半導體關鍵技術和實現產業化為目標，依托十三所現有人才、技術和產業基礎，以國創中心（北京）為平臺，集聚國內外優勢資源，全球招聘*人才，對接資本市場，加快第三代半導體工藝線規模化建設；開展封裝、模塊、檢測、應用、科技孵化與服務等全產業鏈發展，力爭成為國際*的第三代半導體骨干企業。

上半年，十三所當選河北省半導體產業聯盟理事長單位、河北省第三代半導體產業創新聯合體理事長單位，將牽頭打造河北省SiC產業鏈。

第三代半導體行業即將步入千億級黃金賽道，中國“芯”蓄勢待發，中國電科十三所將把握這一歷史性發展機遇，繼續加大碳化硅電力電子領域研發和投入，不斷推陳出新，提高產品競爭力和市場影響力，以昂揚姿態奮力譜寫產業發展新篇章，以優異成績迎接黨的二十大勝利召開。

免責聲明：本文轉載自“中電國基北方”，本文僅代表作者個人觀點，不代表薩科微及行業觀點，只為轉載與分享，支持保護知識產權，轉載請注明原出處及作者，如有侵權請聯系我們刪除。

上一篇：: 瑞能半導體以效率優勢探索，憑新一代碳化硅MOSFET定義性能新高度

強勢進軍現代電力電子,*開啟SiC年，推動第三代半導體高質量發展

客服QQ2635709730

客服QQ
2635709730