氮化鎵快充十大發(fā)展趨勢前瞻！

半導體行業(yè)綜研|Semiconductor industry|

2022-03-10 13:07:01 11

氮化鎵（GaN）是下一代半導體材料，其運行速度比舊的傳統(tǒng)硅（Si）技術(shù)快20倍，并且可以為*的快速充電器產(chǎn)品實現(xiàn)三倍的功率提升，同時可以實現(xiàn)的性能遠遠超過現(xiàn)有產(chǎn)品。在相同大小的情況下，輸出功率增加三倍。

正是由于這些性能優(yōu)勢，GaN在消費快速充電源市場中具有廣泛的應用。充電頭網(wǎng)的統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，數(shù)十家主流電源制造商已經(jīng)開辟了氮化鎵快速充電產(chǎn)品線，并推出了數(shù)百種新型氮化鎵快速充電產(chǎn)品。此外，截至2020年，充電頭網(wǎng)絡還拆除了近一百種GaN快速充電產(chǎn)品，為電源工程師的參考選擇提供了豐富的案例參考。

可以預見，2021年氮化鎵快充將成為繼續(xù)引領市場發(fā)展的風向標。同時，充電頭網(wǎng)也整理了一些2021年極有可能出現(xiàn)的前瞻性發(fā)展趨勢分享給大家。

合封成為趨勢

為了在產(chǎn)品中實現(xiàn)更加簡潔的外圍設計，合封氮化鎵芯片逐漸成為市場趨勢。充電頭網(wǎng)通過整理了解到，目前市面上合封氮化鎵芯片可分為以下四種類型：

控制器+驅(qū)動器+GaN：這種方式以老牌電源芯片品牌PI為代表，PowiGaN芯片獲眾多品牌青睞。其基于InSOP-24D封裝，推出了十余款合封主控、氮化鎵功率器件、同步整流控制器等的高集成氮化鎵芯片，成為了合封氮化鎵快充芯片領域的領導者。

此外在本土供應商中，東科半導體率先推出兩款合封氮化鎵功率器件的主控芯片DKG045Q和DKG065Q，芯片內(nèi)部整合了650V/200mΩ E-mode GaN HEMT、邏輯控制器、GaN驅(qū)動器、高壓啟動管等，采用變頻QR控制方式，對應的最大輸出功率分別為45W和65W。這兩款芯片在節(jié)約系統(tǒng)成本，加速產(chǎn)品上市方面均有著巨大的優(yōu)勢，并有望在2021年量產(chǎn)。

驅(qū)動器+GaN：這種合封的氮化鎵功率芯片以納微半導體為主要代表，其為業(yè)界首家推出內(nèi)置驅(qū)動氮化鎵功率芯片的廠商，憑借精簡的外圍設計，獲得廣大工程師及電源廠商青睞，在2020年底，達成芯片出貨量突破1300萬顆的好成績。

驅(qū)動器+2*GaN：合封兩顆氮化鎵功率器件以及驅(qū)動器的雙管半橋產(chǎn)品，其集成度較傳統(tǒng)的氮化鎵功率器件更高。這類產(chǎn)品應用于ACF架構(gòu)，以及LLC架構(gòu)的氮化鎵快充產(chǎn)品中，可以實現(xiàn)更加精簡的外圍設計。目前納微半導體、英飛凌、意法半導體等廠商在這類合封氮化鎵芯片方面均有布局。

驅(qū)動器+保護+GaN：納微半導體近期推出了新一代氮化鎵功率芯片NV6128，集成集成GaN FET、驅(qū)動器和邏輯保護器件。將保護電路也加入氮化鎵器件中，通過整合開關(guān)管和邏輯電路，可得到更低的寄生參數(shù)以及更短的響應時間。該芯片可以實現(xiàn)數(shù)字輸入，功率輸出高性能，電源工程師可基于此設計出更快更小更高速的電源。

LLC架構(gòu)普及

LLC架構(gòu)屬于雙管半橋諧振，采用諧振電感、勵磁電感和諧振電容串聯(lián)，故名LLC。采用零電壓開關(guān)（ZVS）軟開關(guān)技術(shù)，具有工作頻率高、損耗小、效率高、體積小的優(yōu)點，可提高充電器功率密度。

LLC架構(gòu)諧振操作可實現(xiàn)全負載范圍的軟開關(guān)，減小開關(guān)損耗，從而成為高頻和高功率密度設計的理想選擇，適合固定電壓輸出，EMI特性更好。尤其是應用在多口輸出的大功率快充電源產(chǎn)品中，LLC架構(gòu)輸出固定電壓+二次降壓實現(xiàn)多口PD快充的方式，具有效率高、功率大的特點。

值得一提的是，LLC架構(gòu)配合GaN開關(guān)元件，還能夠有效降低驅(qū)動開銷，降低導通損耗與關(guān)斷損耗，提升效率與工作頻率，進一步提升充電器功率密度。

充電頭網(wǎng)通過往期的近百款氮化鎵快充案例的拆解發(fā)現(xiàn)，在百瓦大功率快充產(chǎn)品中，目前已有安森美、NXP等品牌LLC控制器得到廣泛應用；此外，英飛凌、MPS、矽力杰、TI等業(yè)界*芯片廠商均已推出了適用于大功率快充的LLC控制器。

隨著快充功率的提升和二次同步整流降壓轉(zhuǎn)換器的成熟，為LLC架構(gòu)快充上的應用創(chuàng)造了有利條件。LLC架構(gòu)在大功率PD快充上取代了PFC+反激架構(gòu)，軟開關(guān)降低了開關(guān)損耗，同時搭配GaN和SiC第三代半導體元件，工作頻率得到大幅提高，可獲得更高的轉(zhuǎn)換效率和功率密度，逐漸成為大功率快充市場市場的新寵，有望在2021年實現(xiàn)*普及。

更令人興奮的是，2021年氮化鎵快充將進入數(shù)字時代。

蘋果推出氮化鎵快充

據(jù)媒體報道，納微半導體將在今年獲得蘋果基于GaN技術(shù)的快速充電訂單，臺積電將為納微半導體提供GaN芯片。這也就是說，2021年蘋果公司將會推出基于氮化鎵功率器件的大功率USB PD快充，與目前基于硅的充電器相比，該產(chǎn)品體積更小、重量更輕、更高效。

蘋果向來是科技行業(yè)的先行者，其推出的產(chǎn)品經(jīng)常會成為業(yè)界風向標。而這一次蘋果氮化鎵快充會給我們帶來哪些驚喜，從目前已知的信息來看，還很難聯(lián)想到具體產(chǎn)品。不過一旦蘋果氮化鎵快充推行市場，勢必對現(xiàn)有的氮化鎵上下游生態(tài)帶來重大利好，這其中就包括氮化鎵功率器件、氮化鎵控制器、快充協(xié)議芯片、生產(chǎn)制造工廠等。

封裝創(chuàng)新

追求小體積、高密度一直都是氮化鎵快充市場的發(fā)展趨勢，不過除了依靠氮化鎵功率器件的性能提升產(chǎn)品功率密度之外，氮化鎵功率器件本身的封裝也呈現(xiàn)出不同的形式。目前市面上量產(chǎn)商用的有納微QFN 5*6、QFN 6*8封裝的小尺寸產(chǎn)品，也有英諾賽科、GaN Systems等廠商推出的散熱性能更好的DFN 8*8封裝產(chǎn)品。

除此之外，隨著眾多廠商陸續(xù)入局，TO-252、TO-220、ThinPak 8*8、QFN 9*9等多種封裝形式的氮化鎵功率器件也相繼進入市場。

值得注意的是，在2020（冬季）USB PD&Type-C亞洲展上，氮矽科技展出了其在氮化鎵功率器件的研發(fā)方面最新成果，創(chuàng)新性的推出了PDDFN 4x4封裝的650V/160mΩ氮化鎵功率器件，成為業(yè)界最小封裝尺寸的氮化鎵功率器件。

據(jù)介紹，這款氮化鎵功率前采用Chip Face Down（芯片焊盤面向下）封裝工藝，與傳統(tǒng)的Wire Bonding（WB焊線）封裝工藝相比，解決了氮化鎵器件襯底散熱慢的問題，同時創(chuàng)新的采用雙面散熱設計，提高器件的散熱性能。

器件最大厚度只有0.6mm，完全滿足電路板與外殼距離限制；4×4的超小面積便于印制板電路設計，從而進一步減小充電頭體積。

平面變壓器普及

平面變壓器是業(yè)內(nèi)一直在嘗試使用的一種新型高頻鐵氧體電感元件。由于平面變壓器造型方正，適合于平面貼裝，方便設計，并可使各類型電子產(chǎn)品實現(xiàn)輕薄小型化。與常規(guī)的變壓器相比，平面變壓器除了結(jié)構(gòu)體積上的優(yōu)勢之外，還具有電流密度高、效率高、漏感低、發(fā)熱量小，散熱性好等優(yōu)點。

平面磁學是一種多物理量的矢量表現(xiàn)形式，也是學術(shù)界一直創(chuàng)新研究的領域。使用平面變壓器是目前高頻高功率密度功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品中最經(jīng)濟的解決方案之一。

尤其是在近兩年的消費類電源領域，隨著USB PD快充市場的爆發(fā)以及氮化鎵技術(shù)的成熟，高效率、高功率、小體積的電源產(chǎn)品成為了市場發(fā)展新風向。平面變壓器也逐漸成為備受廣大工程師青睞的器件，并獲得眾多行業(yè)標桿企業(yè)認可，開始在PD快充、氮化鎵快充產(chǎn)品中大顯身手。

充電器頭網(wǎng)往期拆解數(shù)據(jù)顯示，目前華為、小米、三星、OPPO、vivo、聯(lián)想等眾多一線手機品牌、PC品牌均已經(jīng)在多款快充電源中導入平面變壓器，并配合開發(fā)了多款主流機型的inbox標配充電器，以實現(xiàn)更高的功率密度，讓配件更輕便、易攜帶。

平面變壓器是三星充電器中的常客，從15W的三星AFC快充開始，就已經(jīng)大量導入平面變壓器，也開創(chuàng)了平面變壓器在快充上大規(guī)模商用的先河，可見三星對平面變壓器情有獨鐘。

華為也推出了多款內(nèi)置平面變壓器的超級快充充電器，從最新的66W超級快充拆解可見，內(nèi)置的平面變壓器只占據(jù)了整個PCB板模塊的四分之一不到，非常節(jié)省空間，最終讓充電器實現(xiàn)了更加緊湊的設計。

得益于內(nèi)部平面變壓器的采用，OPPO 50W餅干氮化鎵快充實現(xiàn)了超薄的機身設計，整機厚度僅10mm，這也是傳統(tǒng)的繞線變壓器根本無法做到的。除了超薄的機身，平面變壓器還幫助這款充電器實現(xiàn)了高達1.48W/cm³的功率密度，并成為高功率密度的標桿。

在行業(yè)發(fā)展趨勢以及眾多標桿品牌的推動下，平面變壓器開始被越來越多的第三方快充配件企業(yè)應用在高密度快充電源產(chǎn)品中，市場需求量也日益增加。

中國企業(yè)經(jīng)過多年的努力，在平面變壓器領域取得了重大的進展，使平面變壓器成本逐步趨于平民化，*競爭優(yōu)勢及產(chǎn)業(yè)化潛力。

玩家增多

在氮化鎵快充市場不斷發(fā)展壯大的過程中，入局的玩家也逐漸增多。比如在最受關(guān)注的氮化鎵功率芯片方面，目前僅有5家品牌的氮化鎵芯片正式量產(chǎn)出貨并成功導入了終端產(chǎn)品，其中出貨量最大的三家廠商分別是納微、PI以及英諾賽科。而在充電頭網(wǎng)最新的整理的氮化鎵芯片供應商中，已有十余家國內(nèi)外氮化鎵芯片原廠推出了多達數(shù)十款氮化鎵芯片。

從表格中可以看到，全球范圍內(nèi)已有聚能創(chuàng)芯、東科半導體、氮矽科技、GaNsystems、鎵未來、量芯微、英諾賽科、英飛凌、納微、PI、意法半導體、Transphorm、能華、芯冠科技等14家氮化鎵快充芯片供應商。

氮化鎵控制器方面，充電頭網(wǎng)通過調(diào)研了解到，目前已有11家品牌推出了16款高頻控制器，拓撲架構(gòu)可分為AFC、QR以及LLC三種類型，滿足了USB PD標準下全功率范圍的產(chǎn)品設計需求。

值得一提的是，國內(nèi)已有南芯半導、美思迪賽、亞成微、杰華特、必易微、矽力杰等多家電源芯片原廠布局了氮化鎵控制器產(chǎn)品線，并有多款基于國產(chǎn)控制器開發(fā)的氮化鎵快充方案幾近量產(chǎn)，極大豐富了快充電源廠商的選型需求。

手機廠商入局氮化鎵

充電頭網(wǎng)統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，2020年已經(jīng)有10家手機廠商推出了18款氮化鎵快充，華為、小米、OPPO、聯(lián)想、魅族、努比亞等主流廠商均位列其中，推出的產(chǎn)品種類也變得非常豐富。而小米、聯(lián)想、OPPO、realme、三星等品牌已經(jīng)將氮化鎵快充作為手機的標配。氮化鎵快充市場一時間變得熱鬧非凡。

另據(jù)可靠消息顯示，蘋果將在2021年推出氮化鎵快充。相信在2021年，手機品牌的氮化鎵快充產(chǎn)品將會進一步增加。

筆電廠商入局氮化鎵

除了手機廠商之外，筆電廠商今年來也陸續(xù)進入氮化鎵快充市場，聯(lián)想、戴爾、LG等品牌均基于氮化鎵功率器件推出高效的大功率快充配件。這也將成為2021年氮化鎵快充市場的另一大趨勢。

聯(lián)想thinkplus 65W迷你氮化鎵充電器延續(xù)了“口紅”造型設計，在氮化鎵的加持下，體積進一步壓縮，而且配備可折疊插腳，小巧方便易于攜帶。USB-C口支持QC2.0、QC3.0和USB PD3.0快充，具備5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V3.25A和5.00-11.0V/3A電壓檔位，可以輕松滿足手機、平板、筆記本等多種類型設備的快充需求。

DELL戴爾90W氮化鎵快充充電器基于納微GanFast氮化鎵芯片開發(fā)，外觀采用家族典型的扁平機身帶電源線設計風格，額外配有一個USB-A接口。產(chǎn)品支持PD快充，具備5V3A、9V3A、15V3A、20V4.5A四組電壓檔位，支持90W和10W同時輸出，可以同時為筆記本和手機等兩臺設備進行充電。

LG近期推出了一款筆記本電腦專用的氮化鎵快充充電器，內(nèi)置納微半導體GaNFast功率芯片，最大功率為65W。產(chǎn)品整體采用白色風格，并自帶輸出USB-C輸出線纜，支持5V3A、9V3A、15V3A、20V3.25A四組電壓，以滿足不同電壓范圍的產(chǎn)品充電。

成本大幅降低

隨著入局氮化鎵快充市場的玩家不斷增多，實現(xiàn)氮化鎵快充的成本也在逐年下降。比如在GaN功率器件方面，英諾賽科產(chǎn)品應用經(jīng)理鄒艷波先生在2020（冬季） USB PD＆Type-C亞洲展指出，目前氮化鎵快充的痛點主要表現(xiàn)在成本、產(chǎn)能、生態(tài)三個方面。

為此，英諾賽科配備了全球首條8英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)線，并在蘇州建成了全球最大的集研發(fā)、設計、外延生產(chǎn)、芯片制造、測試等于一體的第三代半導體全產(chǎn)業(yè)鏈研發(fā)生產(chǎn)平臺，滿產(chǎn)后將實現(xiàn)月產(chǎn)8英寸硅基氮化鎵晶圓65000片，從根本上解決產(chǎn)能帶來的成本問題。

行業(yè)分析師預測，氮化鎵功率器件的成本將在2022年與傳統(tǒng)功率器件價格持平，到了2023年將成本更具優(yōu)勢。

此外，本土電源芯片廠商已在2020年12月完成了氮化鎵快充研發(fā)重大突破，三大核心芯片實現(xiàn)全國產(chǎn)，性能達到國際先進水準。并且國產(chǎn)半導體廠商可以充分發(fā)揮本土企業(yè)的優(yōu)勢，進一步降低氮化鎵快充的成本，并推動高密度快充電源的普及。

氮化鎵用于PFC電路

目前國內(nèi)功率在75W以上的開關(guān)電源強制要求加入PFC電路以提高功率因數(shù)，修正負載特性。在大功率快充普及的趨勢下，PFC電路也成為了百瓦大功率快充產(chǎn)品的必備。

PFC分為被動和主動兩種類型。無源型采用大電感串聯(lián)補償，主要缺點是尺寸大，效率低。近年來，隨著半導體器件的飛速發(fā)展，無源PFC已完全被有源PFC取代。有源PFC采用PFC控制器，開關(guān)管，電感和二極管組成升壓電路，具有體積小，輸入電壓范圍寬，功率因數(shù)補償效果好等優(yōu)點。

為了實現(xiàn)更高的效率，GaN功率器件已經(jīng)開始出現(xiàn)在大功率快速充電產(chǎn)品的PFC電路中。根據(jù)充電頭網(wǎng)絡的拆解數(shù)據(jù)，Baseus 100W 2A2C GaN快速充電，Baseus 120W氮化鎵快速充電，MOMAX 100W氮化鎵快速充電，MOMAX 100W氮化鎵快速充電充電器，REMAX 100W氮化鎵快速充電，尚迅120W鎵氮化物充電器和其他產(chǎn)品已將氮化物應用于前端PFC電路鎵功率器件。

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