SiC MOSFET面臨的柵極氧化層相關可靠性問題是什么？該如何改善？

2025-12-03 10:41:25 7

SiC MOSFET 的柵極氧化層因 SiC、SiO?界面外在缺陷多，且 SiC 器件柵極電場強度遠高于硅 IGBT，易出現偏置溫度不穩定性，導致閾值電壓（Vth）偏移。尤其在電動汽車牽引等場景中，柵極開關達千億次，雙極交流柵極應力會加劇該問題。改善方式包括對柵極氧化層進行氮化處理以降低界面缺陷，采用溝槽 MOSFET 結構，用更厚柵極氧化層提升高壓屏蔽能力，同時通過篩選外在缺陷，減少器件個體差異。

【簡介】

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