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高壓MOS管SL4N65F
SL4N65F是N溝道MOS管，具有650V漏源電壓（Vdss）和4A的連續(xù)漏極電流（Id）。功率為23.3W，導通電阻為2.6Ω，閾值電壓為4.5V，適用于中高壓開關應用。其高功率處理能力和穩(wěn)定性使其在電源管理系統(tǒng)中表現(xiàn)出色。
高壓MOS管SL4N65F是一款N溝道MOS場效應管，具有650V漏源電壓和4A連續(xù)漏極電流，適用于高電壓、大電流場合。采用TO-220F封裝，便于安裝和散熱。
產品名稱：高壓MOS管SL4N65F
產品概述：
高壓MOS管SL4N65F是一款N溝道MOS場效應管，具有650V漏源電壓和4A連續(xù)漏極電流，適用于高電壓、大電流場合。采用TO-220F封裝，便于安裝和散熱。
性能參數(shù)：
- 最大漏極-源極電壓：650V
- 最大漏極電流：4A
- 最大導通電阻：2.6Ω@10V,2A
- 閾值電壓：4.5V@250A
- 輸入電容：850pF@25V
- 反向傳輸電容：1.2nF@25V
- 柵極電荷：11nC@10V
- 工作溫度范圍：-55℃ ~ +150℃@(Tj)
應用領域：
高壓MOS管SL4N65F廣泛應用于需要承受高電壓、大電流的場合，如電源、照明、電動工具等領域。
安裝說明：
1. 請在無靜電保護措施的情況下操作。
2. 安裝前請清潔散熱器和芯片表面，確保無塵、無油。
3. 芯片正面朝向散熱片，用合適的螺絲固定。
4. 注意安裝時不要損壞芯片，防止靜電干擾。
注意事項：
1. 請勿將該器件用于超出規(guī)定條件的環(huán)境和用途。
2. 使用時請按照使用說明書正確操作，以免對器件造成損壞。
3. 禁止對器件進行改裝和拆卸。
4. 當存儲器件時，請避免超出規(guī)定的環(huán)境溫度和濕度范圍。
名稱
標題
說明
數(shù)據(jù)手冊
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支持
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深圳市薩科微半導體有限公司
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