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碳化硅場效應(yīng)管
碳化硅SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低，不需要進(jìn)行電導(dǎo)率調(diào)制就能夠以MOSFET結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)高耐壓和低阻抗，而且MOSFET原理上不產(chǎn)生尾電流，所以用SiC-MOSFET替代IGBT時，能夠明顯地減少開關(guān)損耗，實(shí)現(xiàn)散熱部件的小型化。另外，SiC-MOSFET工作頻率可以遠(yuǎn)高于IGBT，其電路中電感電容器件更小，容易實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)小體積小重量。與同檔600V~900V電壓的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的芯片面積小，可采用更小型封裝，而且體二極管的恢復(fù)損耗非常小。目前SiC MOSFET主要應(yīng)用于高端工業(yè)電源，高端逆變器及轉(zhuǎn)換器，高端電機(jī)拖動及控制等。
薩科微slkor碳化硅場效應(yīng)管SL19N120A
Package：TO-247-3
VDSS(V)：1200V
ID@TC=25℃（A）：19A
RDSON(Ω)：160mΩ@20V,10A
PD（W）：134W
P/N：N溝道
薩科微slkor碳化硅場效應(yīng)管SL42N120A
Package：TO-247-3
VDSS(V)：1200V
ID@TC=25℃（A）：42A
RDSON(Ω)：80mΩ@20V,10A
PD（W）：300W
P/N：N溝道
| TO-247-3 | 1200V | 19A | 160mΩ@20V,10A | 134W | N溝道 | |
| TO-247-3 | 1200V | 42A | 80mΩ@20V,10A | 300W | N溝道 |
深圳市薩科微半導(dǎo)體有限公司
技術(shù)骨干來自清華大學(xué)和韓國延世大學(xué)，以新材料新工藝新產(chǎn)品引領(lǐng)公司發(fā)展，掌握國際 的第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件技術(shù)。薩科微產(chǎn)品包括二極管三極管、功率器件、電源管理芯片等集成電路三大系列。薩科微從一家IP設(shè)計公司已發(fā)展成為集設(shè)計研發(fā)、生產(chǎn)制造、銷售服務(wù)一體化的 級高新科技企業(yè),“SLKOR”品牌在半導(dǎo)體行業(yè)聲譽(yù)日隆。薩科微官網(wǎng)在展示薩科微產(chǎn)品、宣傳“SLKOR”品牌的同時，也開展行業(yè)的技術(shù)交流、思想碰撞、信息互換、資料查詢等，逐漸成為半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)協(xié)同發(fā)展最重要的平臺之一。
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