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碳化硅器件 碳化硅SiC是一種由硅Si和碳C構成的化合物半導體材料,通常采用4H-SiC晶型。其絕緣擊穿場強是硅Si的10倍,能隙是硅Si的3倍,導熱系數是硅Si的3倍,飽和飄移速度是硅Si的2.7倍。是比硅Si優越非常多的功率電子器件材料。
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薩科微slkor碳化硅場效應管SL42N120A Package:TO-247-3 VDSS(V):1200V ID@TC=25℃(A):42A RDSON(Ω):80mΩ@20V,10A PD(W):300W P/N:N溝道 VRRM(V): IF(A): VF Typ(V): PD@TC=25℃(W): Package:
碳化硅肖特基二極管SL12005B Package: VDSS(V): ID@TC=25℃(A): RDSON(Ω): PD(W): P/N: VRRM(V):1200V IF(A):5A VF Typ(V):1.8V PD@TC=25℃(W):110W Package:TO-220-2
薩科微slkor碳化硅肖特基二極管SL12010B Package: VDSS(V): ID@TC=25℃(A): RDSON(Ω): PD(W): P/N: VRRM(V):1200V IF(A):10.5A VF Typ(V):1.8V PD@TC=25℃(W):153W Package:TO-220-2
碳化硅肖特基二極管SL12015B Package: VDSS(V): ID@TC=25℃(A): RDSON(Ω): PD(W): P/N: VRRM(V):1200V IF(A):15A VF Typ(V):1.8V PD@TC=25℃(W):220W Package:TO-247-2
碳化硅肖特基二極管SL12020B Package: VDSS(V): ID@TC=25℃(A): RDSON(Ω): PD(W): P/N: VRRM(V):1200V IF(A):22A VF Typ(V):1.8V PD@TC=25℃(W):272W Package:TO-247-2
碳化硅肖特基二極管SL12030B Package: VDSS(V): ID@TC=25℃(A): RDSON(Ω): PD(W): P/N: VRRM(V):1200V IF(A):30A VF Typ(V):1.8V PD@TC=25℃(W):288W Package:TO-247-2
碳化硅肖特基二極管SL12040B Package: VDSS(V): ID@TC=25℃(A): RDSON(Ω): PD(W): P/N: VRRM(V):1200V IF(A):40A VF Typ(V):1.8V PD@TC=25℃(W):385W Package:TO-247-2
TO-247-3 1200V 19A 160mΩ@20V,10A 134W N溝道
TO-247-3 1200V 42A 80mΩ@20V,10A 300W N溝道
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1200V 15A 1.8V 220W TO-247-2
1200V 22A 1.8V 272W TO-247-2
1200V 30A 1.8V 288W TO-247-2
1200V 40A 1.8V 385W TO-247-2

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