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AI BMS管理方案，能否解決電池安全焦慮？

近兩年，隨著新能源汽車保有量的增加，新能源汽車自燃的案例也逐漸頻繁。而新能源汽車由于是這兩年備受關注的焦點，發生自燃也是“自帶光環”。據*應急管理部消防救援局的數據顯示，2022年*季度，國內接報的新能源汽車火災共計有640起，同比上升32%，平均算下來，國內每天就發生超過7起新能源汽車起火事件。從新能源汽車起火的數據來看，自燃起火的60%是采用三元鋰電池（主要是NCM811電芯）的車型。也就是說，三元鋰電池的起火率高于磷酸鐵鋰電池。因此，車企開始大量使
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劃片工藝流程

晶圓經過前道工序后芯片制備完成，還需要經過切割使晶圓上的芯片分離下來，最后進行封裝。不同厚度晶圓選擇的晶圓切割工藝也不同：厚度100um以上的晶圓一般使用刀片切割；厚度不到100um的晶圓一般使用激光切割，激光切割可以減少剝落和裂紋的問題，但是在100um以上時，生產效率將大大降低；厚度不到30um的晶圓則使用等離子
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簡述晶圓減薄的幾種方法

減薄晶片有四種主要方法，（1）機械研磨，（2）化學機械平面化，（3）濕法蝕刻和（4）等離子體干法化學蝕刻（ADP DCE）。四種晶片減薄技術由兩組組成：研磨和蝕刻。為了研磨晶片，將砂輪和水或化學漿液結合起來與晶片反應并使之變薄，而蝕刻則使用化學物質來使基板變薄。打磨機械研磨機械（常規）磨削–該工藝具有很高的稀化率，使其成為非常普遍的技術。它使用安裝在高速主軸上的金剛石和樹脂粘合的砂輪，類似于旋涂應用中使用的砂輪。研磨配方決定主軸的速度以及材料的去除率。為了準備機械研磨，將晶
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IGBT芯片互連常用鍵合線材料特性

IGBT芯片與芯片的電極端子間，IGBT芯片電極端子與二極管芯片間，芯片電極端子與絕緣襯板間一般通過引線鍵合技術進行電氣連接。通過鍵合線使芯片間構成互連，形成回路。引線鍵合是IGBT功率器件內部實現電氣互連的主要方式之一。隨著制造工藝的快速發展，許多金屬鍵合線被廣泛的應用到IGBT功率模塊互連技術中。目前，常用的鍵合線有鋁線、金線、、銀線、銅線、鋁帶、銅片和鋁包銅線等。表1是引線鍵合技術中常用材料的性能。表1 引線鍵合工藝中常用鍵合線的材料屬性 1.鋁線鍵合鋁線鍵合是
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SiC IGBT研究進展與前瞻

摘要
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電池管理系統BMS主要功能規范

高壓上下電管理高壓上電管理：BMS進行自檢狀態，通過檢測后等待VCU上電指令，在接收到VCU上高壓電指令后，BMS控制閉合主負、預充繼電器進行預充，當檢測到MCU輸入電壓大于母線端電壓的95%，預充完成，閉合主正繼電器，延遲一段時間后，斷開預充繼電器，高壓上電完成，進入BMS工作模式。KL15為OFF狀態，或者BMS收到VCU/TBOX下電指令時，則先后斷開主正繼電器和主負繼電器。BMS將控制器狀態反饋給VCU。高壓下電管理：正常下電過程，檢測到駕駛員正常下電指令，VCU發送下電指令，BM
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雙面散熱汽車 IGBT 模塊熱測試方法研究

摘要與傳統單面散熱 IGBT 模塊不同，雙面散熱汽車 IGBT 模塊同時向正、反兩面傳導熱量，其熱測試評估方式需重新考量。本文進行雙面散熱汽車 IGBT 模塊熱測試工裝開發與熱界面材料選型，同時對比研究模塊壓裝方式，開發出一種適用于雙面散熱汽車 IGBT 模塊的雙界面散熱結構熱測試方法，可實現單面熱阻測試，對比單面與雙面熱阻值、實測值與仿真值之間的差異，并討論差異產生原因與修正手段。測試結果表明，該方法具有*的可重復性與可推廣性，可為雙面散熱汽車 IGBT 模塊的熱測試提供參考。
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MOS工作原理及失效分析

MOS管是金屬（metal）氧化物（oxide）半導體（semiconductor）場效應晶體管，或者稱是金屬絕緣體（insulator）半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。 MOS管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管
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PCB布線要點整理

根據 50 歐姆阻抗線寬進行布線，盡量從焊盤中心出線，線成直線，盡量走在表層。在需要拐彎的地方做成45 度角或圓弧走線，推薦在電容或電阻兩邊進行拐彎。如果遇到器件走線匹配要求的，請嚴格按照datasheet上面的參考值長度走線。比如，一個放大管與電容之間的走線長度(或電感之間的走線長度)要求等等。 1、通用做法在進行PCB 設計時，為了使高頻電路板的設計更合理，抗干擾性能更好，應從以下幾方面考慮：（1）合理選擇層數在 PCB 設計中對高頻電路板布線時，利用中間內層平面作為電源和
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中科院：半導體基礎研究匱乏，我們進入"黑暗森林"

本文刊載于《中國科學院院刊》2023年第2期“科學觀察” 李樹深* 中國科學院半導體研究所半導體超晶格*重點實驗室在“逆全球化”下產業鏈“脫鉤”愈演愈烈，當前我國的科技基礎能力難以支撐實現高水平科技自立自強的*戰略。為此，在黨的
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