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碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）

一旦硅開(kāi)始達(dá)不到電路需求，碳化硅和氮化鎵就作為潛在的替代半導(dǎo)體材料浮出水面。與單獨(dú)的硅相比，這兩種化合物都能夠承受更高的電壓、更高的頻率和更復(fù)雜的電子產(chǎn)品。這些因素可能導(dǎo)致碳化硅和氮化鎵在整個(gè)電子市場(chǎng)上得到更廣泛的采用。　　讓我們探討一下碳化硅和氮化鎵之間的主要區(qū)別，這將有助于我們了解何時(shí)最有效地應(yīng)用這些化合物。　　碳化硅和氮化鎵之間的電氣差異　　我們可以使用幾個(gè)共同特征來(lái)分析半導(dǎo)體晶圓材料的能力。以下每個(gè)因素都會(huì)影響半導(dǎo)體的性能：　　寬帶隙半導(dǎo)體　　氮化鎵（GaN
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IGBT的發(fā)展史及測(cè)試

絕緣柵雙極晶體管（IGBT）于20世紀(jì)80年代初發(fā)明、開(kāi)發(fā)并商業(yè)化。器件結(jié)構(gòu)（圖4左側(cè)）可以設(shè)計(jì)為在*象限和第三象限（對(duì)稱IGBT）的結(jié)J1和J2處阻斷電壓，或者僅在*象限（不對(duì)稱IGBT）阻斷電壓。IGBT通過(guò)使用正柵極偏置創(chuàng)建MOS溝道來(lái)工作，該偏置將基極驅(qū)動(dòng)電流輸送到內(nèi)部寬基極P-N-P雙極晶體管。在同一漂移區(qū)內(nèi)，通過(guò)溝道使用電子和通過(guò)P-N-P晶體管使用空穴產(chǎn)生集電極電流，稱為MOS雙極電流傳輸。該器件可以通過(guò)將柵極電壓降低到零來(lái)關(guān)閉電子供應(yīng)。由于采用了寬基極P-N-P晶體管，而不是當(dāng)
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SiC外延工藝基本介紹

外延層是在晶圓的基礎(chǔ)上，經(jīng)過(guò)外延工藝生長(zhǎng)出特定單晶薄膜，襯底晶圓和外延薄膜合稱外延片。其中在導(dǎo)電型碳化硅襯底上生長(zhǎng)碳化硅外延層制得碳化硅同質(zhì)外延片，可進(jìn)一步制成肖特基二極管、MOSFET、 IGBT 等功率器件，其中應(yīng)用最多的是4H-SiC 型襯底。由于碳化硅功率器件與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同，不能直接制作在碳化硅單晶材料上，必須在導(dǎo)通型單晶襯底上額外生長(zhǎng)高質(zhì)量的外延材料，并在外延層上制造各類器件，所以外延的質(zhì)量對(duì)器件的性能是影響非常大。不同的功率
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十大步驟詳解芯片光刻的流程

在集成電路的制造過(guò)程中，有一個(gè)重要的環(huán)節(jié)——光刻，正因?yàn)橛辛怂覀儾拍茉谖⑿〉男酒蠈?shí)現(xiàn)功能。現(xiàn)代刻劃技術(shù)可以追溯到190年以前，1822年法國(guó)人Nicephore niepce在各種材料光照實(shí)驗(yàn)以后，開(kāi)始試圖復(fù)制一種刻蝕在油紙上的印痕（圖案)，他將油紙放在一塊玻璃片上，玻片上涂有溶解在植物油中的瀝青。經(jīng)過(guò)2、3小時(shí)的日曬，透光部分的瀝青明顯變硬，而不透光部分瀝青依然軟并可被松香和植物油的混合液洗掉。通過(guò)用強(qiáng)酸刻蝕玻璃板，Niepce在1827年制作了一個(gè)d’Amboise主教的雕板相的復(fù)制品。
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碳化硅功率器件技術(shù)可靠性！

前言：碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環(huán)節(jié)。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測(cè)是碳化硅價(jià)值鏈中最為關(guān)鍵的四個(gè)環(huán)節(jié)，襯底成本占到碳化硅器件總成本的50%，外延、晶圓和封裝測(cè)試成本分別為25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性對(duì)最終器件的性能有著舉足輕重的意義，從產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)探究材料特性及缺陷產(chǎn)生的原因，與上下游企業(yè)協(xié)同合作提升碳化硅功率器件的可靠性。 1、碳化硅晶錠生長(zhǎng)及制備方法碳化硅有多達(dá)250余種同質(zhì)異構(gòu)體，用于制作功率半
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IGBT失效原因及保護(hù)方法

01 關(guān)于 IGBT
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SiC MOSFET學(xué)習(xí)筆記5：車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體模塊可靠性標(biāo)準(zhǔn)

功率半導(dǎo)體的車規(guī)可靠性標(biāo)準(zhǔn)比較多，主要有美國(guó)汽車電子委員會(huì)的AEC標(biāo)準(zhǔn)（主要是針對(duì)晶圓）和歐洲電力電子中心的AQG324（針對(duì)模塊）。今天主要復(fù)習(xí)AQG324這個(gè)標(biāo)準(zhǔn)。先討論一個(gè)工程邏輯：任何一個(gè)新產(chǎn)品，在設(shè)計(jì)之初就應(yīng)該考慮其使用的可靠性，設(shè)計(jì)有缺陷，后期工藝上是很難彌補(bǔ)的，因此，當(dāng)可靠性測(cè)試出現(xiàn)問(wèn)題時(shí)，首先要考慮設(shè)計(jì)（產(chǎn)品設(shè)計(jì)，工藝設(shè)計(jì)）上的問(wèn)題。因此，可靠性測(cè)試實(shí)際上也是對(duì)產(chǎn)品設(shè)計(jì)的一個(gè)檢驗(yàn)。電動(dòng)汽車的功率半導(dǎo)體，特別是SiC MOSFET或者Si IGBT模塊，因?yàn)槭怯迷趧?dòng)力心臟--
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DC-DC電路的環(huán)路補(bǔ)償?shù)恼{(diào)試經(jīng)驗(yàn)

1、A產(chǎn)品的DC-DC電路受干擾掉電 DC-DC電路設(shè)計(jì)采用LMR14030芯片實(shí)現(xiàn)交流24V轉(zhuǎn)換成直流5V，給GSM模塊供電，基中LMR14030芯片的EN腳連接一個(gè)開(kāi)關(guān)，用于控制電路開(kāi)關(guān)的功能，在小批量生產(chǎn)測(cè)試時(shí)發(fā)現(xiàn)，電路板未安裝外殼的情況下工作正常，安裝外殼后，測(cè)試時(shí)發(fā)現(xiàn)電源會(huì)在GSM發(fā)送數(shù)據(jù)時(shí)發(fā)生掉電的情況。問(wèn)題的分析解決過(guò)程: （1）不安裝外殼時(shí)，天線直接接到電路板上面，GSM發(fā)送數(shù)據(jù)時(shí)不掉電（2）安裝外殼后，天線不貼在殼子上面而是露在外面，GS
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電源芯片的EN引腳應(yīng)該如何設(shè)計(jì)？

電機(jī)控制板的24V電源在給電機(jī)供電的同時(shí)也通過(guò)DCDC輸出12V給其他電路供電。在沒(méi)有電池時(shí)，電機(jī)發(fā)電為控制板供電，而電機(jī)的轉(zhuǎn)動(dòng)并非是勻速的，產(chǎn)生了波動(dòng)較大的電壓，如下圖1所示，黃色線為電機(jī)反向發(fā)電電壓，綠色則為MP2451輸出的電壓。圖1 電機(jī)發(fā)電曲線和DCDC的輸出曲線由上圖可以看出，電機(jī)的發(fā)電電壓VIN大概在6.2V時(shí)候就使能了DCDC，遠(yuǎn)小于設(shè)定的12V輸出電壓，使得DCDC內(nèi)部的MOS管由于EN的作用一直在快速的導(dǎo)通和關(guān)閉，形成了一個(gè)噪聲包絡(luò)隨著輸入波動(dòng)的輸出電壓，當(dāng)電機(jī)
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2023-02-16
光伏逆變器中使用典型的反激變換器作為DC/DC部分的拓?fù)洌疚暮?jiǎn)要分析反激變換器在光伏微逆中的應(yīng)用。一．反激變換器的應(yīng)用概要分析反激變換器一般用于較小功率的降壓應(yīng)用，典型來(lái)說(shuō)低于幾百瓦左右，它具有較低的輸出電流。在光伏微逆變器應(yīng)用中，反激變換器作為單極拓?fù)洌梢园?0V-45VDC的PV電池電壓，升壓到一個(gè)對(duì)應(yīng)AC整流后的輸出電壓，同時(shí)通過(guò)變壓器將PV電池和電網(wǎng)隔離開(kāi)。正激變換器同樣可以升壓PV電池電壓，并提供隔離，但是其元件數(shù)目會(huì)多一些。基于電路簡(jiǎn)單的優(yōu)勢(shì)，選擇反激變換
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