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功率電子呈現不斷發展的趨勢-SiC IGBT和氧化鎵

Yole表示，金剛石、SiC IGBT和氧化鎵是長期關注的技術電動化、電池的日益使用和自動化等趨勢正在推動功率電子產品的需求，這是通過減少二氧化碳排放和提高系統效率來減緩氣候變化的努力所推動的。根據Yole的《2022年功率電子行業現狀》報告，由于電動和混合動力汽車（xEV）、工廠自動化、光伏
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基于輸入阻抗控制的多模式混合PFC的控制

前言：在之前我提出了DCM補償的算法，解決了在不變化頻率時DCM區域的電流諧振失真，可見：《基于輸入阻抗控制策略的CCM PFC在高壓和輕負載工況下的ithd優化與思考》。但是如果可以允許開關頻率變化，那么就可以啟用CrM的工作區域，來實現真正的全負載范圍的多模式無縫切換混合模式PFC，即在一個AC周期內直接以DCM/CRM/CCM三個模式出現，并在負載變化時，自動地切換到適合的模式，目的是提升效率和ithd性能。在前面我提出了使用固定TOFF來實現多模式的變化，但是固定OFF階段后，失去了CRM
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如何解決芯片封裝散熱問題

工程師們正在尋找從復雜模塊中有效散熱的方法。將多個芯片并排置于同一封裝中可以緩解熱問題，但隨著公司進一步深入研究芯片堆疊和更密集的封裝，以提高性能和降低功率，他們正在與一系列與熱有關的新問題作斗爭。先進封裝芯片不僅能滿足高性能計算、人工智能、功率密度增長等的需求，同時先進封裝的散熱問題也變得復雜。因為一個芯片上的熱點會影響到鄰近芯片的熱量分布。芯片之間的互連速度在模塊中也比在SoC中要慢。西門子數字工業軟件公司電子和半導體行業負責人John Parry說："
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模擬輸入信號的保護電路問題

本文介紹了四種模擬輸入信號的保護電路的實現方法。近由于工作的需要，涉及到了模擬輸入信號的保護電路問題。結合以往的工作實踐以及網絡文獻資料的查找。現在就保護電路作一簡單的說明。電源鉗位保護上述電路存在可靠性的問題。如果輸入電壓過高，比如超過了運放的工作電壓。那么就有可能造成運放的損壞。所以將上述的電路需要改進。 TVS管保護方法這個電路有效的改變了輸入電壓過高的情況下，也不會損壞運放。從而提高了硬件電路的可靠性。但是上面的兩個電路都
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碳化硅電源管理解決方案如何搭配？

綠色倡議持續推動工業、航空航天應用，尤其是運輸行業的電力電子系統設計轉型。碳化硅（SiC）是引領這一趨勢的核心技術，可提供多種新功能不斷推動各種車輛和飛機實現電氣化，從而減少溫室氣體（GHG）排放。碳化硅解決方案支持以更小、更輕和更高效的電氣方案取代飛機的氣動和液壓系統，為機載交流發電機、執行機構和輔助動力裝置（APU）供電。這類解決方案還可以減少這些系統的維護需求。但是，SiC技術最顯著的貢獻體現在其所肩負實現商用運輸車輛電氣化的使命上，這些車輛是*上最大的GHG排放源之一。隨著1700
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超暴力拆解小米120W氮化鎵充電器：支離破碎中尋找國產芯

氮化鎵充電器的快速崛起讓消費者不再滿足低功率的快充，而消費者的迫切需求也促使各家廠商不斷追逐更高功率的快充方案，目前公認的120W左右的快充算是屬于消費電子行業*梯隊，因此本期硬核拆評將拆解一款小米的120W氮化鎵快充，看看高功率的氮化鎵快充方案有何不同？拆解全程圖文呈現小米120W氮化鎵充電器外觀采用固定插腳設計，只有一個USB Type-C
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芯片調測——ESD測試

先來談靜電放電(ESD: Electrostatic Discharge)是什么？這應該是造成所有電子元器件或集成電路系統過度電應力破壞的主要元*。因為靜電通常瞬間電壓非常高(>幾千伏)，所以這種損傷是毀滅性和*性的，會造成電路直接燒毀。所以預防靜電損傷是所有IC設計和制造的頭號難題。靜電，通常都是人為產生的，如生產、組裝、測試、存放、搬運等過程中都有可能使得靜電累積在人體、儀器或設備中，甚至元器件本身也會累積靜電，當人們在不知情的情況下使這些帶電的物體接觸就會形成放電路徑，瞬間使
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半導體器件的ESD測試帶電器件模型（CDM）及靜電敏感度分級

一、ESD帶電器件模型帶電器件模型（Charged-Device Model - CDM）是第三種重要的元器件靜電放電耐受閾值的測試方法。CDM 模型與之前討論的HBM、 MM模型完全不同。HBM和MM模型是模擬人體(Human Body)或機器設備（Machine）帶電后對元器件放電，而 CDM模型則是模擬元器件本身帶電后對地放電。隨著芯片制造、封測、裝聯的自動化程度提高，人體接觸器件的機會相對減少，帶電器件ESD放電事件越來越成為微電子器件失效的主要原因之一。半導體器件在裝
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功率半導體器件學習筆記

*代半導體Si基二極管簡介：單個PN結結構，導通和斷開兩種狀態，不具備放大，單向導通；? 無外部電流、電壓控制，就是0和1的狀態，電壓電流較小。應用：各種電子設備，工業設備。晶體管：BJT 簡介：背靠背的PN結結構，通過電流驅動實現線性放大功能，具有放大工作區域，能夠實現電流放大作用；耐壓較高，導通電子較低，能放大電流，但是有拖尾電流，限制了開關速度。應用：放大器電路、驅動揚聲器、電動機等。電壓及頻率：20-1700V，≤20kHz。
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2022英特爾? FPGA中國技術周——11月14日技術日

11月14日至18日，2022英特爾?FPGA中國技術周（IFTD）將與全球各市場同步線上舉辦，來自國內外的技術專家將在五天的時間里，從產品、軟件開發與設計、云計算、嵌入式、網絡五大主題領域展開技術詳解。每日一主題、每天兩小時，通過二十余場主題演講及技術方案分享，助您全覽英特爾?FPGA產品技術優勢和落地實踐方案。無論您是來自企業級用戶、云服務商、通信運營商、網絡及邊緣的技術相關管理者、硬件與邏輯設計工程師，還是開發者、系統架構師，參與技術周活動，您將掌握英特爾?FPGA最新資訊，獲取技術
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